Número de pieza del fabricante
Std6n62k3
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de canal de alto rendimiento
Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia de alto voltaje
Características del producto y rendimiento
Voltaje de funcionamiento de hasta 620 V
Corriente de drenaje continuo hasta 5.5a
Baja resistencia de 1.28Ω
Velocidad de conmutación rápida y carga de puerta baja
Diseño robusto con alta resistencia y confiabilidad
Ventajas de productos
Alta eficiencia y baja disipación de energía
Paquete DPAK compacto para diseño de ahorro de espacio
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Excelentes capacidades de gestión térmica
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 620V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 1.28Ω @ 2.8a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 5.5A @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 706pf @ 50V
Disipación de potencia (TC): 90W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseño robusto y confiable para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conmutación de alta potencia de alto voltaje
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Inversores
Suministros de alimentación de modo conmutado
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Producto actual, sin indicación de interrupción
Reemplazos y actualizaciones disponibles del fabricante
Varias razones clave para elegir este producto
Capacidades de alto voltaje y corriente
Baja resistencia a alta eficiencia
Velocidad de conmutación rápida y carga de puerta baja para un rendimiento mejorado
Paquete DPAK compacto para diseño de ahorro de espacio
Diseño robusto y confiable para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Excelentes capacidades de gestión térmica
Cumplimiento de ROHS3 para la responsabilidad ambiental