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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTD4NK80Z-1
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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Método de pago

STD4NK80Z-1 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STD4NK80Z-1
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STD4NK80Z-1
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Embalaje
TO-251 (IPAK)
Ficha de datos
1.STD4NK80Z-1.pdf ...

Hojas de datos

ST(D,P)4NK80Z(-1,FP).pdf

Ensamblaje de PCN/origen

Assembly Site 22/Nov/2022.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Nuestra certificación
Existencias disponibles: 48870
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10+ $1.115 $11.15
30+ $1.024 $30.72
75+ $0.931 $69.83
525+ $0.89 $467.25
975+ $0.871 $849.23
Los precios anteriores no incluyen impuestos ni gastos de transporte, que se calcularán en las páginas de pedido.
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STD4NK80Z-1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STD4NK80Z-1 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STD4NK80Z-1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-251 (IPAK)  
Serie SuperMESH™  
RDS (Max) @Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 80W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 575 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 22.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Número de producto base STD4NK80  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STD4NK80Z-1

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

Producto de semiconductores discretos

Transistor FET, MOSFET Single

Características del producto y rendimiento

Drenaje de 800 V al voltaje de la fuente

5Ω RDS (ON) @ 1.5A, 10V

3A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C

575pf Capacitancia de entrada @ 25V

Disipación de potencia de 80W

Mosfet de canal N

Voltaje umbral de la puerta de 5V @ 50A

Voltaje de accionamiento de 10 V

5NC Gate Charge @ 10V

Ventajas de productos

Capacidad de alta tensión

Baja resistencia

Manejo de alta potencia

Adecuado para conmutación de aplicaciones

Parámetros técnicos clave

Drene a la fuente de voltaje: 800V

Voltaje de puerta a fuente: ± 30V

En resistencia: 3.5Ω

Corriente de drenaje: 3a

Capacitancia de entrada: 575pf

Disipación de potencia: 80W

Voltaje umbral de la puerta: 4.5V

CARGA DE GATE: 22.5NC

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Temperatura de funcionamiento: -55 ° C a 150 ° C

Compatibilidad

Paquete TO-251 (IPAK)

Áreas de aplicación

Suministros de alimentación de conmutación

Impulso del motor

Electrónica industrial

Electrónica automotriz

Ciclo de vida del producto

Producción actual, no se planea la interrupción

Reemplazos y actualizaciones disponibles

Razones clave para elegir este producto

Capacidad de mayor voltaje y manejo de potencia

Baja resistencia a la conmutación eficiente

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía

Confiabilidad y calidad comprobadas de stmicroelectronics

Disponibilidad de reemplazos y actualizaciones

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STD4NK80Z-1

Atributo del producto STD4NK80Z-1 STD4NK60ZT4 STD4NS25T4 STD4NK80ZT4
Número de pieza STD4NK80Z-1 STD4NK60ZT4 STD4NS25T4 STD4NK80ZT4
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 575 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 355 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 22.5 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete del dispositivo TO-251 (IPAK) DPAK DPAK DPAK
La disipación de energía (máximo) 80W (Tc) 70W (Tc) 50W (Tc) 80W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800 V 600 V 250 V 800 V
Número de producto base STD4NK80 STD4NK60 STD4N STD4NK80
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 3A (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 1.1Ohm @ 2A, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ MESH OVERLAY™ SuperMESH™
Característica de FET - - - -

STD4NK80Z-1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STD4NK80Z-1 y la documentación STMicroelectronics para STD4NK80Z-1 - STMicroelectronics.

Hojas de datos
ST(D,P)4NK80Z(-1,FP).pdf
Ensamblaje de PCN/origen
Assembly Site 22/Nov/2022.pdf
Embalaje de PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

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    19/06/2024

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  • Lea ***
    19/06/2024

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Método de entrega

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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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