Número de pieza del fabricante
Std3nk80zt4
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento con tecnología Supermesh para aplicaciones eficientes de conversión y control de energía.
Características del producto y rendimiento
800 V de voltaje de drenaje a fuente
5Ω Máxima resistencia en el voltaje de puerta a fuente de 1.25a y 10V
5A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C
70W Disipación de potencia máxima a 25 ° C
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Capacitancia de entrada baja de 485pf a 25V de voltaje de drenaje a fuente
Capacidades de conmutación rápida con una carga de puerta baja de 19 NC a 10 V de voltaje de puerta a fuente
Ventajas de productos
Mejor eficiencia energética a través de baja resistencia
Diseño robusto para operaciones confiables en entornos duros
Paquete compacto de montaje en superficie DPAK para diseños de PCB que ahorran espacio
Excelente gestión térmica a través de la disipación de baja potencia
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 800V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 4.5Ω
Corriente de drenaje continuo (ID): 2.5a
Capacitancia de entrada (CISS): 485pf
Disipación de potencia (PD): 70W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para entornos duros con un amplio rango de temperatura de funcionamiento
Compatibilidad
Adecuado para varias aplicaciones de conversión y control de energía
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Control de iluminación
Electrodomésticos
Automatización industrial
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente disponible y no está cerca de la interrupción.
Los modelos de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro a medida que avanza la tecnología.
Razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia energética a través de baja resistencia
Diseño robusto y confiable para entornos duros
Paquete DPAK compacto para diseños de PCB que ahorran espacio
Gestión térmica eficiente a través de la disipación de baja potencia
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión y control de energía
STD3NK90ZSTMicroelectronics
STD3NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK