Número de pieza del fabricante
Std3nk50zt4
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET MOSFET de alto rendimiento en el paquete DPAK
Características del producto y rendimiento
Voltaje de 500 V de drenaje a fuente
3Ω máxima de resistencia
3A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Capacitancia de entrada baja de 280pf
Disipación máxima de potencia de 45W
Ventajas de productos
Excelente capacidad de manejo de potencia
Disipación de calor eficiente con el paquete DPAK
Rendimiento confiable en aplicaciones de alto voltaje
Adecuado para una amplia gama de condiciones de funcionamiento
Parámetros técnicos clave
Tecnología MOSFET de canal N
Voltaje de 500 V de drenaje a fuente
3Ω máxima de resistencia
3a corriente de drenaje continuo
Capacitancia de entrada máxima de 280pf
Disipación máxima de potencia de 45W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Cumple con los estándares de calidad industrial y automotriz
Compatibilidad
Compatible con una variedad de aplicaciones de alto voltaje y alta corriente
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Inversores
Electrónica industrial y automotriz
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción activa
Disponibilidad a largo plazo y soporte del fabricante
Razones clave para elegir este producto
Capacidades de manejo de potencia de alto rendimiento
Gestión térmica eficiente con paquete DPAK
Operación confiable en un amplio rango de temperatura
Adecuado para una variedad de aplicaciones de alto voltaje y alta corriente
Cumplimiento de la calidad de la industria y los estándares de seguridad
STD3NK80ZSTMicroelectronics
STD3NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK