Número de pieza del fabricante
Std30nf06
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET MOSFET de canal de alto rendimiento para aplicaciones de energía
Características del producto y rendimiento
Voltaje de fuente de drenaje de 60 V
28mohm máximo en resistencia
28A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C
Capacitancia de carga y entrada de baja puerta
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 175 ° C
Disipación de baja potencia de 70W a temperatura del caso
Ventajas de productos
Excelente eficiencia energética y baja generación de calor
Rendimiento confiable y estable a lo largo del rango de temperatura
Fácil de integrar en diseños electrónicos de potencia
Parámetros técnicos clave
VDSS: 60V
VGS (máximo): ± 20V
RDS (ON) (Max): 28mohm
ID (continuo): 28a
CISS (Max): 1750pf
PD (máximo): 70W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para aplicaciones de energía crítica
Compatibilidad
Paquete TO-252-3 (DPAK)
Compatible con procesos de ensamblaje de montaje en superficie estándar
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Reguladores de conmutación
Electrónica industrial y automotriz
Ciclo de vida del producto
Producto actual, que no está a punto de interrumpir
Reemplazos y actualizaciones disponibles a medida que evoluciona la tecnología
Razones clave para elegir
Excelente eficiencia energética y rendimiento térmico
Rango de temperatura de funcionamiento amplio para operaciones confiables
Fácil integración en diseños electrónicos de potencia
Calidad y seguridad comprobadas para aplicaciones críticas
STD30NF03L-1STMicroelectronics
STD30PF03L-1STMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 24A IPAK