Número de pieza del fabricante
Std20nf10t4
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de canal N
Características del producto y rendimiento
Amplio rango de voltaje de hasta 100V
Baja resistencia a 45mohm
Corriente de drenaje continuo hasta 25A a 25 ° C
Cambio rápido con carga de puerta baja
El rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 175 ° C
Ventajas de productos
Conversión y control de potencia eficiente
Rendimiento confiable en entornos duros
Paquete DPAK compacto y de ahorro de espacio
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDS): 100V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 20V
En resistencia (RDS (ON)): 45mohm @ 15a, 10V
Drene la corriente (ID): 25A @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 1200pf @ 25V
Disipación de potencia (PTOT): 85W @ TC
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Probado para su fiabilidad y seguridad
Compatibilidad
Compatible con varias aplicaciones de suministro de energía y control
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Convistadores de alimentación de conmutación
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
Los reemplazos y las actualizaciones pueden estar disponibles en el futuro
Razones clave para elegir
Excelente manejo y eficiencia de energía
Rendimiento confiable en un amplio rango de temperatura
Paquete compacto y de ahorro de espacio
Confiabilidad y seguridad comprobadas
STD20NF10STMicroelectronics
STD20P07LT4GAMI Semiconductor/onsemi