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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTD15N60M2-EP
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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STD15N60M2-EP - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STD15N60M2-EP
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STD15N60M2-EP
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Embalaje
DPAK
Ficha de datos
1.STD15N60M2-EP.pdf ...

Hojas de datos

STD15N60M2-EP.pdf

Diseño/especificación de PCN

Gate threshold voltage 10/Apr/2018.pdf

Ensamblaje de PCN/origen

Assembly Site 22/Dec/2022.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Nuestra certificación
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STD15N60M2-EP
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STD15N60M2-EP con especificaciones similares a STMicroelectronics - STD15N60M2-EP

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo DPAK  
Serie MDmesh™ M2-EP  
RDS (Max) @Id, Vgs 378mOhm @ 5.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 110W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  
Número de producto base STD15  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STD15N60M2-EP

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

Transistor MOSFET de alto rendimiento con mayor rendimiento y confiabilidad para varias aplicaciones electrónicas de energía.

Características del producto y rendimiento

Voltaje de desglose de 600 V para operación de alto voltaje

Ultra-Low en resistencia para alta eficiencia

Velocidad de conmutación rápida para aplicaciones de alta frecuencia

Paquete DPAK compacto para diseño de ahorro de espacio

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C

Ventajas de productos

Excelente capacidad de manejo de potencia

Gestión térmica superior

Rendimiento confiable y robusto

Optimizado para conmutación de alta frecuencia

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V

En resistencia (RDS (ON)): 378mΩ @ 5.5a, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 11a @ 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS): 590pf @ 100V

Disipación de potencia (PD): 110W @ 25 ° C

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Diseñado y fabricado con estándares de alta calidad

Compatibilidad

Adecuado para su uso en varias aplicaciones electrónicas de energía, incluidos los suministros de alimentación, las unidades de motor y los circuitos de conmutación.

Áreas de aplicación

Fuente de alimentación

Impulso del motor

Inversores

Circuitos de conmutación

Aplicaciones electrónicas de energía

Ciclo de vida del producto

Este producto se encuentra actualmente en producción activa y no está cerca de la interrupción.

Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro a medida que evoluciona la tecnología.

Razones clave para elegir este producto

Excelente manejo de energía y eficiencia debido a la baja resistencia

Rendimiento confiable y robusto en un amplio rango de temperatura

Paquete DPAK compacto para diseño de ahorro de espacio

Optimizado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia

Cumplir con los estándares de ROHS3 para la responsabilidad ambiental

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STD15N60M2-EP

Atributo del producto STD15N60DM6 STD15N50M2AG STD15N65M5 STD155N3H6
Número de pieza STD15N60DM6 STD15N50M2AG STD15N65M5 STD155N3H6
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Número de producto base - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Paquete / Cubierta - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Tipo de montaje - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Paquete del dispositivo - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
VGS (th) (Max) @Id - - - -
La disipación de energía (máximo) - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las - - - -
Tipo FET - - - -
Serie - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs - - - -
Característica de FET - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
Temperatura de funcionamiento - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Vgs (Max) - - - -
Tecnología - - - -
Paquete - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs - - - -

STD15N60M2-EP Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STD15N60M2-EP y la documentación STMicroelectronics para STD15N60M2-EP - STMicroelectronics.

Hojas de datos
STD15N60M2-EP.pdf
Diseño/especificación de PCN
Gate threshold voltage 10/Apr/2018.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
Assembly Site 22/Dec/2022.pdf
Embalaje de PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

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  • Lea ***
    19/06/2024

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Método de entrega

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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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