Número de pieza del fabricante
Std130n6f7
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia de N-canal de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia
Características del producto y rendimiento
Resistencia extremadamente baja en el estado para alta eficiencia
Alta calificación de voltaje de drenaje a fuente de 60V
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 175 ° C
Velocidades de conmutación rápidas y carga de puerta baja para una operación de alta frecuencia
Alta corriente de drenaje continuo de 80A a 25 ° C
Ventajas de productos
Excelente rendimiento térmico y disipación de potencia
Diseño robusto para operaciones confiables
Optimizado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y alta potencia
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 60V
Voltaje máximo de puerta a fuente (VGS): ± 20V
Resistencia en el estado (RDS (ON)): 5MΩ @ 40A, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 80A @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 2600pf @ 30V
Disipación de potencia (PTOT): 134W @ 25 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Protección de ESD
Diseño confiable y robusto
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de aplicaciones de conmutación de alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Inversores
Electrónica industrial y automotriz
Ciclo de vida del producto
Producto actual, no se planea la interrupción
Reemplazos y actualizaciones disponibles en STMicroelectronics
Razones clave para elegir
Excelente eficiencia y manejo de energía
Rendimiento robusto y confiable
Optimizado para una alta frecuencia y conmutación de alta potencia
Registro probado y soporte de stmicroelectronics
STD13007AUK
STD13N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 11A DPAK