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Asia/Pacífico: Japan~~(日本語)~~ Korea~~(한국의)~~ Thailand~~(ภาษาไทย)~~ Malaysia~~(Melayu)~~ Singapore~~(Melayu)~~ Vietnam~~(Tiếng Việt)~~ Philippines~~(Pilipino)~~

África, India y Medio Oriente: United Arab Emirates~~(العربية)~~ Iran~~(فارسی)~~ Tajikistan~~(فارسی)~~ India~~(हिंदी)~~ Madagascar~~(malaɡasʲ)~~

América del Sur / Oceanía: New Zealand~~(Maori)~~ Brazil~~(Português)~~ Angola~~(Português)~~ Mozambique~~(Português)~~

América del norte: United States~~(English)~~ Canada~~(English)~~ Haiti~~(Ayiti)~~ Mexico~~(español)~~

Casa Productos Productos semiconductores discretos Transistores-FETs, MOSFETs-escoja~~STD12N65M5~~

Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

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OPCIóN EXPRESA

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STD12N65M5 - STMicroelectronics

Name: STMicroelectronics STD12N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD12N65M5
Availability: InStock
Rating: 5 (6 reviews)

Fabricante Número de pieza: STD12N65M5

Fabricante: STMicroelectronics

Allelco Número de pieza: 32D-STD12N65M5

Garantía: 1 año de garantía Allelco - Descubre más

Descripción de piezas: MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK

Embalaje: DPAK

Ficha de datos: 1.STD12N65M5.pdf ...

Hojas de datos
STx12N65M5.pdf

PCN obsolescencia/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf

Ensamblaje de PCN/origen
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf

Estado RoHS: ROHS3 Cumplante

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Nuestra certificación

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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STD12N65M5
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STD12N65M5 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STD12N65M5

Atributo del producto	Valor del atributo
Fabricante	STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	MDmesh™ V
RDS (Max) @Id, Vgs	430mOhm @ 4.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	70W (Tc)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete	Tape & Reel (TR)

Atributo del producto	Valor del atributo
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	900 pF @ 100 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.5A (Tc)
Número de producto base	STD12

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO	DESCRIPCIóN
Estado RoHS	ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estatus de alcance	REACH Unaffected
ECCN	EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

Std12n65m5

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

Transistor MOSFET de canal de alto rendimiento

Características del producto y rendimiento

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS) de 650V

Corriente de drenaje continuo (id) de 8.5a a 25 ° C

Baja resistencia (RDS (ON)) de 430MΩ a 4.3a, 10V

Capacidad de energía alta de avalancha

Velocidad de conmutación rápida

Diseño resistente

Ventajas de productos

Excelente densidad de potencia y eficiencia

Rendimiento confiable en condiciones de alto voltaje y alta corriente

Adecuado para aplicaciones de fuente de alimentación de modo de conmutación de alta frecuencia

Parámetros técnicos clave

Cumplimiento de ROHS

Paquete: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Rango de temperatura de funcionamiento: -55 ° C a 150 ° C

Capacitancia de entrada (CISS) de 900pf a 100V

Disipación de potencia (máximo) de 70W en TC

Características de calidad y seguridad

Tecnología MOSFET con un diseño robusto

Adherencia al cumplimiento de ROHS3

Compatibilidad

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía

Áreas de aplicación

Suministros de alimentación de modo de interruptor (SMPS)

Impulso del motor

Inversores

Electrónica industrial y de consumo

Ciclo de vida del producto

Producto actual, no se planea la interrupción

Reemplazos y actualizaciones disponibles

Razones clave para elegir este producto

Alta eficiencia y densidad de potencia

Excelente rendimiento de alto voltaje y alto rendimiento

Diseño confiable y resistente para aplicaciones exigentes

Compatibilidad con una amplia gama de sistemas electrónicos de potencia

Disponibilidad de reemplazos y actualizaciones

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STD12N65M5

Atributo del producto
Número de pieza	STD12N50M2	STD12N60DM2AG	STD12N60M6	STD12N60DM6
Fabricante	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-	-	-	-
La disipación de energía (máximo)	-	-	-	-
VGS (th) (Max) @Id	-	-	-	-
Paquete	-	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Tipo FET	-	-	-	-
Temperatura de funcionamiento	-	-40°C ~ 85°C	0°C ~ 70°C	-40°C ~ 85°C
Tecnología	-	-	-	-
RDS (Max) @Id, Vgs	-	-	-	-
Tipo de montaje	-	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-	-	-	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	-	-	-	-
Vgs (Max)	-	-	-	-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	-	-	-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	-	-	-	-
Característica de FET	-	-	-	-
Serie	-	-	-	-
Paquete del dispositivo	-	196-NFBGA (12x12)	16-PDIP	64-VQFN (9x9)
Paquete / Cubierta	-	196-LFBGA	16-DIP (0.300', 7.62mm)	64-VFQFN Exposed Pad
Número de producto base	-	DAC34H84	MAX500	ADS62P42

STD12N65M5 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STD12N65M5 y la documentación STMicroelectronics para STD12N65M5 - STMicroelectronics.

Hojas de datos: STx12N65M5.pdf
PCN obsolescencia/ EOL: Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Ensamblaje de PCN/origen: IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

Jess***Jones

17/04/2026

It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.
Mich***Smith

17/04/2026

Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.
Aman***arris

03/04/2026

It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.
Mike***nch

03/04/2026

Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.
Daic***K.

23/03/2026

Very good. No issue after long time testing.
Kevi***.

17/03/2026

Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC
Daou***hekebkeb

16/06/2024

I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend
Uri ***al

19/06/2024

Good comunication,
Transpnt regarding the process and price.
Yaqu***l Ali

19/06/2024

Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.
Lea ***

19/06/2024

Morrey was very helpful and right on top of things!
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Método de entrega

Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región	País	Hora logística (día)
America	Estados Unidos	5
America	Brasil	7
Europa	Alemania	5
	Reino Unido	4
	Italia	5
Oceanía	Australia	6
Oceanía	Nueva Zelanda	5
Asia	India	4
Asia	Japón	4
Oriente Medio	Israel	6

Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg)	Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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Póngase en contacto con nosotros si tiene alguna pregunta.

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