Número de pieza del fabricante
Std10nm60n
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de alto rendimiento N-canal con bajos RDS (ON) en el paquete DPAK.
Características del producto y rendimiento
Baja resistencia a alta eficiencia
Optimizado para aplicaciones de cambio duro y conmutación suave
Soporta un alto voltaje de hasta 600 V
Carga de puerta baja para conmutación rápida
Ventajas de productos
Conversión de energía compacta y eficiente
Diseño confiable y robusto
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 550MΩ @ 4a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 10a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 540pf @ 50V
Disipación de potencia (TC): 70W
Características de calidad y seguridad
Cumplimiento de ROHS
Diseñado y fabricado con estándares de alta calidad
Compatibilidad
Adecuado para su uso en una variedad de aplicaciones de conversión y control de energía
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo conmutado
Impulso del motor
Inversores
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Producto actual, no se planea la interrupción
Fácilmente disponible con potencial para futuras actualizaciones o mejoras
Razones clave para elegir
Excelente eficiencia y densidad de potencia
Diseño confiable y robusto
Versátil para una amplia gama de aplicaciones
Respaldado por la calidad y experiencia de stmicroelectronics
STD10PF06STMicroelectronics