Número de pieza del fabricante
Std100n10f7
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Optimizado para una alta frecuencia de conmutación y bajas pérdidas de conducción
Baja capacidad de conmutación y baja en resistencia
Adecuado para aplicaciones de conversión de energía de alta eficiencia
Ventajas de productos
Excelente gestión térmica y disipación de energía
Diseño robusto para operaciones confiables
Paquete DPAK compacto y de ahorro de espacio
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 100V
En resistencia (RDS (ON)): 8MΩ @ 40A, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 80A @ 25 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseñado y fabricado con estándares de alta calidad
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión y control de energía
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Inversores de poder
Luz de las balastos de iluminación
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Producción actual, sin planes de interrupción
Opciones de reemplazo y actualización disponibles
Razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia y rendimiento térmico
Diseño confiable y robusto para aplicaciones exigentes
Paquete compacto y de ahorro de espacio
Amplia compatibilidad y uso generalizado

STD100GK12BSIRECTIFIERIGBT Module