Número de pieza del fabricante
STB85NF55T4
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de canal de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Optimizado para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia
Excelente resistencia en el estado y baja carga de puerta
Cambio rápido y bajas pérdidas de energía
Ventajas de productos
Conversión de potencia eficiente
Diseño compacto y de ahorro de espacio
Rendimiento confiable y duradero
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 55 V
VGS (máximo): ± 20 V
Rds on (max) @ id, VGS: 8 mohm @ 40 a, 10 v
Drenaje continuo actual (ID) @ 25 ° C: 80 A (TC)
Capacitancia de entrada (CISS) (max) @ VDS: 3700 pf @ 25 V
Disipación de potencia (máximo): 300 W (TC)
Vgs (th) (max) @ id: 4 v @ 250 a
CARGA DE GATE (QG) (MAX) @ VGS: 150 NC @ 10 V
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Cumple con los estándares de alta fiabilidad
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Inversores y convertidores
Impulso del motor
Electrónica industrial y automotriz
Ciclo de vida del producto
Oferta actual de productos
Reemplazos y actualizaciones disponibles
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento y eficiencia
Diseño compacto y de ahorro de espacio
Operación confiable y duradera
Cumple con los estándares de alta fiabilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones
STB8NA50T4STMicroelectronics