Número de pieza del fabricante
STB70NF03LT4
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Producto de semiconductores discretos
Transistores fets, MOSFETS single
Características del producto y rendimiento
ROHS3 Cumplante
Tipo de montaje de montaje en superficie
TO-263-3, DPAK (2 cables + pestaña), paquete TO63AB
-55 ° C ~ 175 ° C Rango de temperatura de funcionamiento
Drenaje de 30 V al voltaje de fuente
± 18V VGS (Max)
5mohm rds on (max) @ 35a, 10v
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
70A Corriente de drenaje continuo (ID) a 25 ° C
Capacitancia de entrada de 1440 pf (CISS) (máximo) @ 25V VDS
Disipación de potencia de 100W (Max)
Tipo de FET de canal N
1V VGS (TH) (MAX) @ 250A ID
5V, voltaje de accionamiento de 10 V (máximo rds encendido, min rds encendido)
30 NC GATE CARGA (QG) (MAX) @ 5V VGS
Ventajas de productos
Capacidad de manejo de alta corriente
Baja resistencia
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Paquete de montaje en superficie compacto
Parámetros técnicos clave
Drene a la fuente de voltaje (VDSS)
VGS (Max)
Rds on (max)
Corriente de drenaje continuo (ID)
Capacitancia de entrada (CISS)
Disipación de potencia (Max)
VGS (Th) (Max)
Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido)
Gate Charge (QG) (Max)
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Compatibilidad
Aplicaciones de montaje en superficie
Áreas de aplicación
Gestión de energía
Control del motor
Circuitos de conmutación
Ciclo de vida del producto
Producto actual, sin planes de interrupción
Varias razones clave para elegir este producto
Capacidad de manejo de alta corriente de hasta 70a
Baja resistencia de 9.5mohm
Amplio rango de temperatura de funcionamiento -55 ° C a 175 ° C
Paquete de montaje de superficie compacto y eficiente
Adecuado para aplicaciones de gestión de energía, control de motor y conmutación
STB70NF3STMicroelectronics
STB6NK90ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
STB70N10F4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
STB75N06HDT4onsemiNFET D2PAK SPCL 60V TR