Número de pieza del fabricante
Stb6n60m2
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de canal de alto rendimiento y alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Voltaje de desglose de 600 V
Baja resistencia
Conmutación de alta velocidad
Adecuado para aplicaciones de alta potencia
Diseño robuste para entornos duros
Ventajas de productos
Excelente eficiencia energética
Alta fiabilidad
Diseño compacto y de ahorro de espacio
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600V
Voltaje máximo de puerta a fuente (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 1.2Ω @ 2.25a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 4.5A @ 25 ° C (TC)
Capacitancia de entrada (CISS): 232pf @ 100V
Disipación de potencia (TC): 60W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseñado para una operación confiable en entornos duros
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alta potencia, que incluyen fuentes de alimentación, unidades de motor y automatización industrial
Áreas de aplicación
Conversión de potencia
Control del motor
Automatización industrial
Sistemas de energía renovable
Electrodomésticos
Ciclo de vida del producto
Producto actual, no se planea la interrupción
Opciones de reemplazo y actualización disponibles
Varias razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia energética y alta fiabilidad
Diseño robuste para entornos duros
Paquete compacto y de ahorro de espacio
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alta potencia
Integración y compatibilidad perfecta con los sistemas existentes
STB6NC90CSTMicroelectronics
STB65E0EIC Semiconductor, Inc.