- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
STB50N65DM6.pdfEmbalaje de PCN
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $4.204 | $4.20 |
| 200+ | $1.627 | $325.40 |
| 500+ | $1.57 | $785.00 |
| 1000+ | $1.542 | $1,542.00 |
Especificaciones tecnológicas STB50N65DM6
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STB50N65DM6 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STB50N65DM6
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.75V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | D²PAK (TO-263) | |
| Serie | MDmesh™ DM6 | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 91mOhm @ 16.5A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 250W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 100 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 52.5 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) | |
| Número de producto base | STB50 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STB50N65DM6
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | STB50N65DM6 | 2N3809 | 2N3809 | 2N3808 |
| Fabricante | STMicroelectronics | Solid State Inc. | Central Semiconductor Corp | Central Semiconductor Corp |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-78-6 Metal Can | TO-78-6 Metal Can | TO-78-6 Metal Can |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650 V | - | - | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 52.5 nC @ 10 V | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | 250W (Tc) | - | - | - |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
| Paquete del dispositivo | D²PAK (TO-263) | TO-78-6 | TO-78-6 | TO-78-6 |
| Tipo FET | N-Channel | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.75V @ 250µA | - | - | - |
| Número de producto base | STB50 | - | 2N380 | 2N380 |
| Vgs (Max) | ±25V | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 100 V | - | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 91mOhm @ 16.5A, 10V | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| Serie | MDmesh™ DM6 | - | - | - |
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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