Número de pieza del fabricante
STB45N65M5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento en el paquete DPAK
Características del producto y rendimiento
Voltaje de fuente de drenaje hasta 650V
Baja resistencia a 78 mΩ
Alta velocidad de conmutación
Carga de puerta baja
Capacidad de alta corriente de hasta 35a
Ventajas de productos
Excelente gestión térmica
Diseño robusto
Alta densidad de potencia
Rendimiento confiable
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 650V
En resistencia (RDS (ON)): 78MΩ
Corriente de drenaje continuo (ID): 35a
Capacitancia de entrada (CISS): 3375pf
Disipación de potencia (PD): 210W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete DPAK (TO-263) para un rendimiento térmico mejorado
Diseñado y fabricado con estándares de alta calidad
Compatibilidad
Paquete de montaje en superficie
Adecuado para varias aplicaciones de conversión y control de energía
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación del modo de conmutación
Impulso del motor
Controles industriales
Electrodomésticos
Ciclo de vida del producto
Modelo de producción actual
Opciones de reemplazo o actualización disponibles si es necesario
Razones clave para elegir este producto
Capacidad de alto voltaje y corriente
Excelente gestión térmica
Rendimiento confiable y robusto
Solución rentable
Tecnología probada de un fabricante de confianza
STB45N50DM2AGSTMicroelectronics