Número de pieza del fabricante
Stb12nm50nd
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento en un paquete DPAK (TO-263) para aplicaciones de alta potencia
Características del producto y rendimiento
Calificación de alto voltaje de 500V
Baja resistencia de 380mΩ
Alta corriente de drenaje continuo de 11A
Capacitancia de entrada baja de 850pf
Disipación de alta potencia de 100W
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y alta eficiencia
Ventajas de productos
Excelente capacidad de manejo de potencia
Alta eficiencia debido a la baja resistencia
Paquete compacto DPAK (TO-263)
Rendimiento confiable y larga vida útil
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 500V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 380mΩ
Corriente de drenaje continuo (ID): 11a
Capacitancia de entrada (CISS): 850pf
Disipación de potencia (PD): 100W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete DPAK (TO-263) para una mejor disipación de calor
Rendimiento confiable y larga vida útil
Compatibilidad
Adecuado para varias aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo conmutado
Impulso del motor
Electrónica industrial y de consumo
Aplicaciones de iluminación
Sistemas de energía renovable
Ciclo de vida del producto
Este producto es un componente activo y ampliamente disponible.No hay planes de interrupción, y las opciones de reemplazo o actualización están disponibles.
Varias razones clave para elegir este producto
Excelente manejo de energía y eficiencia debido a la baja resistencia
Paquete DPAK compacto y térmicamente eficiente (TO-263)
Rendimiento confiable y larga vida útil
Ampliamente compatible con varias aplicaciones de alta eficiencia y alta eficiencia
Disponible activamente con opciones de reemplazo y actualización
STB12NM50FDSTMicroelectronics