Número de pieza del fabricante
Stb11nm60fdt4
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia de alto canal de alto rendimiento y alto rendimiento con baja resistencia a la resistencia y capacidad de conmutación rápida.
Características del producto y rendimiento
Alto voltaje de drenaje a fuente (600V)
Baja en resistencia (450mΩ)
Alta corriente de drenaje continuo (11a)
Cambio rápido con carga de puerta baja (40 nc)
Optimizado para aplicaciones de conversión de energía de alta eficiencia
Ventajas de productos
Eficiencia energética mejorada
Disipación de potencia reducida
Diseño compacto
Rendimiento confiable y robusto
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDS): 600V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 450MΩ
Corriente de drenaje continuo (ID): 11a
Capacitancia de entrada (CISS): 900pf
Disipación de potencia (TC): 160W
Características de calidad y seguridad
Compatible con ROHS
Paquete robusto D2pak
Compatibilidad
Paquete de montaje en superficie (TO-263-3, DPAK)
Adecuado para aplicaciones de conversión de energía de alta eficiencia y alta eficiencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Inversores
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
Reemplazos y actualizaciones disponibles según sea necesario
Razones clave para elegir este producto
Alta eficiencia y baja disipación de energía
Rendimiento confiable y robusto
Diseño compacto y de ahorro de espacio
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión de energía de alto voltaje
