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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTB10N60M2
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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STB10N60M2 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STB10N60M2
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STB10N60M2
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Embalaje
D²PAK (TO-263)
Ficha de datos
1.STB10N60M2.pdf ...

Hojas de datos

STx10N60M2.pdf

Diseño/especificación de PCN

IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STB10N60M2
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STB10N60M2 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STB10N60M2

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D²PAK (TO-263)  
Serie MDmesh™ II Plus  
RDS (Max) @Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 85W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc)  
Número de producto base STB10  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STB10N60M2

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

MOSFET de canal N de alto rendimiento con calificación de 600 V y baja resistencia.

Características del producto y rendimiento

Calificación de voltaje de drenaje a fuente de 600V

Baja resistencia de 600mΩ @ 3a, 10V

Corriente de drenaje continuo de 7.5a a 25 ° C de temperatura del caso

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C

Velocidad de conmutación rápida y carga de puerta baja de 13.5nc @ 10V

Ventajas de productos

Excelente eficiencia y densidad de potencia

Rendimiento robusto y confiable

Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V

En resistencia (RDS (ON)): 600MΩ @ 3a, 10V

Corriente de drenaje (ID): 7.5a a 25 ° C

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Paquete DPAK (TO-263) para disipación de calor eficiente

Adecuado para aplicaciones de montaje en superficie

Compatibilidad

Compatible con varias aplicaciones de alto voltaje y alta potencia

Áreas de aplicación

Suministros de alimentación de conmutación

Impulso del motor

Inversores

Automatización industrial

Sistemas de energía renovable

Ciclo de vida del producto

Este producto es compatible activamente y no está a punto de interrumpir.

Los reemplazos y las actualizaciones pueden estar disponibles.

Razones clave para elegir este producto

Excelente eficiencia y densidad de potencia

Rendimiento robusto y confiable

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Velocidad de conmutación rápida y carga de puerta baja

Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STB10N60M2

Atributo del producto STB10N60M2 STB10N95K5 STB10N65K3 STB10LN80K5
Número de pieza STB10N60M2 STB10N95K5 STB10N65K3 STB10LN80K5
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II Plus SuperMESH5™ SuperMESH3™ MDmesh™ K5
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base STB10 STB10 STB10N6 STB10
La disipación de energía (máximo) 85W (Tc) 130W (Tc) 150W (Tc) 110W (Tc)
Paquete del dispositivo D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc) 8A (Tc) 10A (Tc) 8A (Tc)
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Característica de FET - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 950 V 650 V 800 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 100 V 630 pF @ 100 V 1180 pF @ 25 V 427 pF @ 100 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
RDS (Max) @Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V 800mOhm @ 4A, 10V 1Ohm @ 3.6A, 10V 630mOhm @ 4A, 10V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

STB10N60M2 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STB10N60M2 y la documentación STMicroelectronics para STB10N60M2 - STMicroelectronics.

Hojas de datos
STx10N60M2.pdf
Diseño/especificación de PCN
IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
Embalaje de PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

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  • Lea ***
    19/06/2024

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Método de entrega

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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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