- Jess***Jones
- 17/04/2026
Diseño/especificación de PCN
SCTx/SCTx/STHx/STPSCx/STTHx/TN4050HP 26/Jul/2022.pdfEmbalaje de PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdfPCN obsolescencia/ EOL
SCT10N120H obs 14/Jun/2022.pdfEspecificaciones tecnológicas SCT10N120H
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - SCT10N120H con especificaciones similares a STMicroelectronics - SCT10N120H
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Paquete del dispositivo | H2Pak-2 | |
| Serie | - | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 20V | |
| La disipación de energía (máximo) | 150W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 400 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22 nC @ 20 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) | |
| Número de producto base | SCT10 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics SCT10N120H
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
|---|---|---|
| Número de pieza | SCT10N120H | IUGZX1-1-62-1.00-C-94 |
| Fabricante | STMicroelectronics | Sensata-Airpax |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200 V | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 250µA | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Panel Mount |
| La disipación de energía (máximo) | 150W (Tc) | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22 nC @ 20 V | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 400 V | - |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | - |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | - |
| Número de producto base | SCT10 | IUGZX1 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 20V | - |
| Característica de FET | - | - |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| Tipo FET | N-Channel | - |
| Serie | - | IUG |
| Paquete del dispositivo | H2Pak-2 | - |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) | - |
Descargue las hojas de datos PDF SCT10N120H y la documentación STMicroelectronics para SCT10N120H - STMicroelectronics.
Su dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

¿Quieres un mejor precio? Agregar al carro y Envíe RFQ ahora, nos pondremos en contacto con usted de inmediato.