- Jess***Jones
- 17/04/2026
Ensamblaje de PCN/origen
SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022.pdfDiseño/especificación de PCN
TO247 Frame 24-Feb-2022.pdfHojas de datos
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $7.555 | $7.56 |
| 200+ | $2.924 | $584.80 |
| 500+ | $2.821 | $1,410.50 |
| 1000+ | $2.771 | $2,771.00 |
Especificaciones tecnológicas SCT10N120AG
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - SCT10N120AG con especificaciones similares a STMicroelectronics - SCT10N120AG
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Paquete del dispositivo | HiP247™ | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 20V | |
| La disipación de energía (máximo) | 150W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 | |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 400 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22 nC @ 20 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) | |
| Número de producto base | SCT10 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics SCT10N120AG
| Atributo del producto | ![]() |
|
|---|---|---|
| Número de pieza | SCT10N120AG | MTMM-106-05-G-D-100 |
| Fabricante | STMicroelectronics | Samtec Inc. |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200 V | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22 nC @ 20 V | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 250µA | - |
| Número de producto base | SCT10 | MTMM-106 |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole |
| Tipo FET | N-Channel | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 20V | - |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | MTMM |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) | -55°C ~ 125°C |
| Paquete | Tube | Bulk |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) | - |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 | - |
| Característica de FET | - | - |
| Paquete del dispositivo | HiP247™ | - |
| La disipación de energía (máximo) | 150W (Tc) | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 400 V | - |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | - |
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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