Número de pieza del fabricante
PD55008TR-E
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Este producto es un dispositivo de semiconductor discreto, específicamente un transistor en la categoría de transistor de efecto de campo (FET) y FET-óxido-óxido-semiconductor (MOSFET), diseñada para aplicaciones de RF (radiofrecuencia).
Características del producto y rendimiento
Tecnología de LDMOS (Tecnología de óxido de metal difuso lateral)
Potencia de salida: 8W
Corriente de prueba: 150MA
Voltaje nominal: 40V
Ganancia: 17dB
Voltaje de prueba: 12.5V
Calificación actual: 4a
Frecuencia: 500MHz
Ventajas de productos
Adecuado para aplicaciones de RF
Alta potencia y eficiencia
Rendimiento robusto y confiable
Parámetros técnicos clave
Número de pieza del fabricante: PD55008TR-E
Paquete: Poterso-10RF Padera inferior expuesta (2 cables formados)
Embalaje: cinta y carrete (tr)
Cumplimiento de ROHS: ROHS3
Características de calidad y seguridad
Cumplir con las regulaciones ambientales de ROHS3
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de RF
Áreas de aplicación
Adecuado para su uso en varios sistemas y equipos de RF, como transmisores de radio, amplificadores y otros dispositivos basados en RF.
Ciclo de vida del producto
Este producto se encuentra actualmente en producción activa y no está cerca de la interrupción.
Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles, dependiendo de los requisitos de aplicación específicos.
Razones clave para elegir este producto
Transistor RF de alto rendimiento con excelentes características de potencia y eficiencia
Diseño robusto y confiable adecuado para exigentes aplicaciones de RF
Cumple con las últimas regulaciones ambientales de ROHS
Disponibilidad en un conveniente formato de embalaje de cinta y carrete
