Número de pieza del fabricante
PD20010-E
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
• Transistor RF Power MOSFET
Características del producto y rendimiento
• Alta densidad de potencia
• Baja resistencia
• Alta ganancia
• Operación hasta 2 GHz
• potencia de salida de 10W
• Voltaje nominal de 40V
• Calificación actual 5A
Ventajas de productos
• Adecuado para su uso en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia
• Conversión de energía eficiente
• Rendimiento confiable y robusto
Parámetros técnicos clave
• Tecnología: LDMOS
• Potencia de salida: 10W
• Current (prueba): 150 mA
• Voltaje (nominal): 40V
• Ganar: 11db
• Voltaje (prueba): 13.6V
• Calificación actual: 5A
• Frecuencia: 2GHz
Características de calidad y seguridad
• Cumplante de ROHS3
• Paquete de plomo formado (Powerso-10RF)
Compatibilidad
• Compatible con aplicaciones RF de alta frecuencia y alta potencia
Áreas de aplicación
• Amplificadores de potencia de radiofrecuencia (RF)
• Sistemas de comunicación inalámbrica
• Equipo de transmisión
• Aplicaciones industriales/científicas/médicas (ISM)
Ciclo de vida del producto
• Producto actual
• Disponibilidad de reemplazo o modelos mejorados
Razones clave para elegir este producto
• Alta densidad de potencia y eficiencia
• Rendimiento confiable y robusto
• Adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia
• Cumplimiento de ROHS3 para la sostenibilidad ambiental

PD2-950/2150-30SL3 Narda-MITEQPOWER DIVIDER
PD2008NIECIGBT Module