Número de pieza del fabricante
L6386ED013TR
Fabricante
stmicroelectronics
Introducción
El L6386ED013TR es un controlador de puerta de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de administración de energía, específicamente adecuados para impulsar circuitos de medio puente compuestos de IGBT y MOSFET de canales N.
Características del producto y rendimiento
Admite la configuración impulsada por el medio puente
Controla canales independientes
Capaz de conducir tipos de puerta MOSFET IGBT y N-canal
Voltaje de suministro máximo de 17 V
Niveles de voltaje lógico de 1.5V (VIL) y 3.6V (vih)
Corrientes de salida máxima de 400 mA (fuente) y 650 mA (sumidero)
Tipo de entrada invertida
Capacidad de voltaje lateral alto de hasta 600 V (bootstrap)
Los tiempos de ascenso y caída son 50ns y 30ns respectivamente
Operativo sobre un rango de temperatura de -40 ° C a 150 ° C
Ventajas de productos
El L6386ED013TR ofrece un mejor rendimiento de conmutación y robustez para los sistemas de gestión de energía de alta fiabilidad.
Parámetros técnicos clave
Configuración impulsada: medio puente
Número de conductores: 2
Voltaje - Suministro: 17V (Max)
Corriente - salida máxima (fuente, sumidero): 400 mA, 650 mA
Voltaje lateral alto - Max (Bootstrap): 600V
Tiempo de aumento / caída (typ): 50ns, 30ns
Temperatura de funcionamiento: -40 ° C a 150 ° C
Características de calidad y seguridad
Construido para soportar niveles de alto voltaje y corriente con propiedades mejoradas de gestión térmica que garantizan operaciones confiables en diversas condiciones ambientales.
Compatibilidad
Compatible con varias configuraciones MOSFET de IGBT y canales N, mejorando su adaptabilidad en múltiples aplicaciones de conducción de puerta.
Áreas de aplicación
Utilizado en sistemas de gestión de energía, incluidos, entre otros, convertidores, inversores, sistemas de control de motor y unidades de fuente de alimentación.
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente activo con soporte y disponibilidad continuos.No hay indicaciones actuales de interrupción, y los reemplazos o actualizaciones están disponibles a medida que ocurren avances tecnológicos.
Varias razones clave para elegir este producto
Las capacidades de conducción de alto voltaje y corriente aseguran la idoneidad para aplicaciones de energía robustas.
El cambio rápido con los tiempos precisos de aumento y caída mejoran la eficiencia del sistema.
La confiabilidad operativa en un amplio rango de temperatura atiende a entornos exigentes.
La compatibilidad con una amplia gama de dispositivos de semiconductores de potencia permite opciones de diseño flexibles.
El ciclo de vida extendido del producto con soporte garantiza la viabilidad del despliegue a largo plazo.
L6386STMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
L6387STMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
L6387EDSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
L6386ADSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
L6387
L6387-LF/22STMicroelectronics
L6386EDSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO