- Nath***rooks
- 11/06/2026
Hojas de datos
IRF640(FP).pdf¿Quieres un mejor precio?
Agregar al carro y Envíe RFQ ahora, nos pondremos en contacto con usted de inmediato.
| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.218 | $0.22 |
| 10+ | $0.174 | $1.74 |
| 50+ | $0.161 | $8.05 |
| 100+ | $0.139 | $13.90 |
| 500+ | $0.128 | $64.00 |
| 1000+ | $0.122 | $122.00 |
Especificaciones tecnológicas IRF640
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - IRF640 con especificaciones similares a STMicroelectronics - IRF640
| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220 |
| Serie | MESH OVERLAY™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 180mOhm @ 9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 125W (Tc) |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1560 pF @ 25 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200 V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Número de producto base | IRF6 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics IRF640
| Atributo del producto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | IRF640FP | IRF640LPBF | IRF640L | IRF640,127 |
| Fabricante | STMicroelectronics | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | NXP Semiconductors / Freescale |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Número de producto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | - | - | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | - | - | - |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| VGS (th) (Max) @Id | - | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
Descargue las hojas de datos PDF IRF640 y la documentación STMicroelectronics para IRF640 - STMicroelectronics.
IRF637IR
IRF640 MOSIR
IRF6351IR
IRF635HARRIS
IRF6372TRPBFVBSEMISu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |













¿Quieres un mejor precio? Agregar al carro y Envíe RFQ ahora, nos pondremos en contacto con usted de inmediato.