Número de pieza del fabricante
BYV54V-200
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Producto de semiconductores discretos
Matrices de rectificadores de diodos
Características del producto y rendimiento
ROHS3 Cumplante
Embalaje del fabricante de isotop
Corriente de fuga inversa: 50 A @ 200 V
Voltaje hacia adelante: 850 MV @ 50 A
Tecnología estándar
Tiempo de recuperación inversa: 60 ns
Voltaje inverso: 200 V
Recuperación rápida: ≤ 500 ns,> 200 mA (IO)
Corriente rectificada promedio: 50 A por diodo
2 diodos independientes
Monte del chasis
Ventajas de productos
Alta capacidad de manejo de corriente
Tiempo de recuperación rápido
Calificación de voltaje inverso alto
Parámetros técnicos clave
Corriente de fuga inversa
Voltaje hacia adelante
Tiempo de recuperación inverso
Voltaje inverso
Corriente rectificada promedio
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Compatibilidad
Adecuado para aplicaciones de montaje en chasis
Áreas de aplicación
Conversión de energía y circuitos de control
Electrónica industrial y de consumo de alta potencia
Ciclo de vida del producto
Modelo de producción actual, no hay planes conocidos para la interrupción
Los modelos de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro
Varias razones clave para elegir este producto
Capacidad de manejo de alta corriente hasta 50 A
Tiempo de recuperación rápido de ≤ 500 ns
Calificación de voltaje inverso alto de 200 V
Diseño robusto de montaje en chasis
Cumplimiento de los estándares ROHS3
