- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.05 | $0.05 |
| 200+ | $0.02 | $4.00 |
| 500+ | $0.019 | $9.50 |
| 1000+ | $0.019 | $19.00 |
Especificaciones tecnológicas SSF3051G7
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Good-Ark Semiconductor - SSF3051G7 con especificaciones similares a Good-Ark Semiconductor - SSF3051G7
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Good-Ark Semiconductor | |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | SOT-23-6 | |
| Serie | - | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 48mOhm @ 4.4A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 1.7W | |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-6 | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 15 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7.1 nC @ 5 V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Good-Ark Semiconductor SSF3051G7
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | SSF3051G7 | SSF3341 | SSF29X100 | SSF3338 |
| Fabricante | Good-Ark Semiconductor | Good-Ark Semiconductor | Sensata-Cynergy3 | SILIKRON |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | - | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Vgs (Max) | ±25V | ±12V | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7.1 nC @ 5 V | 18 nC @ 10 V | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Serie | - | - | SSF29 | - |
| Tipo FET | P-Channel | P-Channel | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 48mOhm @ 4.4A, 10V | 50mOhm @ 4.2A, 10V | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 120°C | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A | 4.2A | - | - |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 2.5V, 10V | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30 V | 30 V | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Male 1/8' (3.18mm) BSP | - |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-6 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | 1.7W | 1.4W | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 15 V | 712 pF @ 15 V | - | - |
| Paquete del dispositivo | SOT-23-6 | SOT-23 | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF SSF3051G7 y la documentación Good-Ark Semiconductor para SSF3051G7 - Good-Ark Semiconductor.
SSF3338SILIKRON
SSF3339SILIKRON
SSF334SILIKRON
SSF2816ESILIKRON
SSF2N60FVBsemi
SSF3324SILIKRON
SSF2814EH2SILIKRON
SSF3117SEMITEL
SSF3322SILIKRON
SSF32E0ESILIKRON
SSF2816E-HFSILIKRO
SSF3055Silikron
SSF2816EBSilikronSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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