- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.028 | $0.03 |
| 200+ | $0.011 | $2.20 |
| 500+ | $0.011 | $5.50 |
| 1000+ | $0.011 | $11.00 |
Especificaciones tecnológicas SSF2319CJ1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Good-Ark Semiconductor - SSF2319CJ1 con especificaciones similares a Good-Ark Semiconductor - SSF2319CJ1
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Good-Ark Semiconductor | |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | SOT-523 | |
| Serie | - | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 600mOhm @ 300mA, 4.5V | |
| La disipación de energía (máximo) | 312mW | |
| Paquete / Cubierta | SOT-523 | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1 nC @ 4.5 V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 450mA (Tc) |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Good-Ark Semiconductor SSF2319CJ1
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | SSF2311S | SSF2314 | SSF2341E | SSF2318E |
| Fabricante | Good-Ark Semiconductor | Good-Ark Semiconductor | Good-Ark Semiconductor | Good-Ark Semiconductor |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | - | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | - | - | - | - |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF SSF2319CJ1 y la documentación Good-Ark Semiconductor para SSF2319CJ1 - Good-Ark Semiconductor.
SSF2314Good-Ark SemiconductorMOSFET, N-CH, SINGLE, 4.5A, 20V,
SSF2305SILIKRON
SSF2336SILIKRON
SSF2307SILIKRON
SSF2369SILIKRON
SSF2302SILIKRON
SSF2312SILIKRON
SSF2306SILIKRON
SSF2320YGood-Ark SemiconductorMOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
SSF2307BSILIKRON
SSF2341E-HFSILIKRON
SSF2341SILIKRON
SSF2318EGood-Ark SemiconductorMOSFET, N-CH, SINGLE, 6.5A, 20V,
SSF2334SILIKRON
SSF2311SGood-Ark SemiconductorMOSFET, P-CH, SINGLE, -4.7A, -20
SSF2340SILIKRONSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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