Número de pieza del fabricante
NE3515S02-T1C-A
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Introducción
Producto de semiconductores discretos
Transistores fets, MOSFETS RF
Características del producto y rendimiento
ROHS3 Cumplante
Tecnología HFET (transistor de alta frecuencia)
Potencia de salida: 14dbm
Corriente de prueba: 10 mA
Voltaje nominal: 4V
Ganancia: 12.5db
Voltaje de prueba: 2V
Calificación actual: 88 mA
Frecuencia: 12 GHz
Figura de ruido: 0.3dB
Ventajas de productos
Transistor RF de alto rendimiento
Adecuado para aplicaciones de alta frecuencia
Excelente ganancia y características de bajo ruido
Parámetros técnicos clave
Paquete: 4-SMD, cables planos
Paquete de dispositivo de proveedor: S02
Condición del paquete: a granel
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Compatibilidad
Adecuado para aplicaciones de RF de alta frecuencia
Áreas de aplicación
Comunicaciones inalámbricas
Sistemas de radar
Equipo de prueba y medición
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No hay información sobre la interrupción o los reemplazos
Razones clave para elegir este producto
Características de RF de alto rendimiento
Paquete SMD compacto
Cumplimiento de ROHS
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alta frecuencia


NE3520S03NEC