Número de pieza del fabricante
Buk9k6r8-40ex
Fabricante
Nexperia
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento en paquete LFPAK56D para aplicaciones automotrices e industriales.
Características del producto y rendimiento
MOSFET de doble canal N con baja resistencia en el estado
Diseñado para aplicaciones de transmisión de alta eficiencia y unidad de carga
Carga de puerta baja para conmutación rápida
Excelente eficiencia térmica debido al paquete LFPAK56D
Adecuado para sistemas de 12 V, 24 V y 48 V
Ventajas de productos
Alta densidad de potencia
Baja resistencia en el estado
Velocidad de conmutación rápida
Excelente rendimiento térmico
Grado automotriz e industrial
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 40V
Resistencia en el estado (RDS (ON)): 6.1mΩ @ 10a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 40A @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 3000PF @ 25V
Voltaje de umbral de puerta (VGS (TH)): 2.1V @ 1MA
CARGA DE GATE (QG): 22.2NC @ 5V
Características de calidad y seguridad
AEC-Q100 calificado para aplicaciones automotrices
ROHS3 Cumplante
Diseñado y fabricado con estándares de alta calidad
Compatibilidad
Adecuado para sistemas de 12v, 24 V y 48V
Compatible con una amplia gama de aplicaciones industriales y automotrices
Áreas de aplicación
Aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y unidad de carga
Sistemas automotrices (por ejemplo, motores, bombas, iluminación)
Suministros industriales y unidades de motor
Ciclo de vida del producto
Producto actual, sin planes de interrupción
Reemplazos y actualizaciones disponibles según sea necesario
Razones clave para elegir este producto
Excelente densidad de potencia y eficiencia
Velocidad de conmutación rápida para aplicaciones de alto rendimiento
Diseño robusto y confiable para uso automotriz e industrial
Rango de temperatura de funcionamiento amplio (-55 ° C a 175 ° C)
Calificación AEC-Q100 para aplicaciones automotrices
BUK9K6R8-40EFreescale / NXP Semiconductors
