- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
FST31180-31200.pdfEspecificaciones tecnológicas FST31180E3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Microsemi Corporation - FST31180E3 con especificaciones similares a Microsemi Corporation - FST31180E3
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Microsemi | |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 830 mV @ 15 A | |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 180 V | |
| Tecnología | Schottky | |
| Paquete del dispositivo | TO-220AB | |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| Serie | - |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | |
| Paquete | Bulk | |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode | |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 100 µA @ 180 V | |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 15A |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Microsemi Corporation FST31180E3
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | FST30100E3 | FST31180 | FST30100 | FST30050 |
| Fabricante | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| configuración de diodo | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | - | - | - | - |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Velocidad | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | - | - | - | - |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF FST31180E3 y la documentación Microsemi Corporation para FST31180E3 - Microsemi Corporation.
FST30100E3Microsemi CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
FST30Z6Sanken Electric Co., Ltd.IGBT Module
FST30050Microsemi CorporationDIODE MODULE 50V 150A TO244
FST30Z2Sanken Electric Co., Ltd.IGBT Module
FST30035MicrosemiIGBT Module
FST30040SiemensIGBT Module
FST30100Microsemi CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
FST30045SiemensIGBT ModuleSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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