- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
APTM20DAM10TG.pdfHoja de datos HTML
Power Products Catalog.pdfEspecificaciones tecnológicas APTM20DAM10TG
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Microsemi Corporation - APTM20DAM10TG con especificaciones similares a Microsemi Corporation - APTM20DAM10TG
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Microsemi | |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 5mA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | SP4 | |
| Serie | - | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 12mOhm @ 87.5A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 694W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | SP4 | |
| Paquete | Bulk |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13700 pF @ 25 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 224 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 175A (Tc) |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Microsemi Corporation APTM20DAM10TG
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | APTM20DAM10TG | APTM20DAM05G | APTM20DAM04G | APTM20DAM08TG |
| Fabricante | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Paquete | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 224 nC @ 10 V | 448 nC @ 10 V | 560 nC @ 10 V | 280 nC @ 10 V |
| Paquete / Cubierta | SP4 | SP6 | SP6 | SP4 |
| Paquete del dispositivo | SP4 | SP6 | SP6 | SP4 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 175A (Tc) | 317A (Tc) | 372A (Tc) | 208A (Tc) |
| Vgs (Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 12mOhm @ 87.5A, 10V | 6mOhm @ 158.5A, 10V | 5mOhm @ 186A, 10V | 10mOhm @ 104A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 694W (Tc) | 1136W (Tc) | 1250W (Tc) | 781W (Tc) |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13700 pF @ 25 V | 27400 pF @ 25 V | 28900 pF @ 25 V | 14400 pF @ 25 V |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 5mA | 5V @ 10mA | 5V @ 10mA | 5V @ 5mA |
| Serie | - | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Descargue las hojas de datos PDF APTM20DAM10TG y la documentación Microsemi Corporation para APTM20DAM10TG - Microsemi Corporation.
APTM20AM06SGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 300A SP6
APTM20DHM16T3GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
APTM20AM05FTGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 333A SP4
APTM20DUM05GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
APTM20AM08FTGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
APTM20DAM05GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 317A SP6
APTM20DAM04GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 372A SP6
APTM20DHM08GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
APTM20DHM16TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 104A SP4
APTM20DAM08TGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 208A SP4
APTM20DHM10GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
APTM20AM10STGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
APTM20DHM20TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
APTM20DUM08TGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
APTM20DUM04GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
APTM20DUM05TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 333A SP8
APTM20AM05FGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
APTM20AM10FTGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 175A SP4Su dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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