- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
APTM120DA68T1G.pdfHoja de datos HTML
Power Products Catalog.pdfEspecificaciones tecnológicas APTM120DA68T1G
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Microsemi Corporation - APTM120DA68T1G con especificaciones similares a Microsemi Corporation - APTM120DA68T1G
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Microsemi | |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 2.5mA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | SP1 | |
| Serie | - | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 816mOhm @ 12A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 357W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | SP1 | |
| Paquete | Bulk |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6696 pF @ 25 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 260 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Microsemi Corporation APTM120DA68T1G
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
|---|---|---|
| Número de pieza | APTM120DA68T1G | 806-012-NF7-3PME |
| Fabricante | Microsemi Corporation | Glenair |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 2.5mA | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 816mOhm @ 12A, 10V | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 260 nC @ 10 V | - |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | - |
| Vgs (Max) | ±30V | - |
| Paquete / Cubierta | SP1 | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6696 pF @ 25 V | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Característica de FET | - | - |
| Paquete del dispositivo | SP1 | - |
| La disipación de energía (máximo) | 357W (Tc) | - |
| Paquete | Bulk | Retail Package |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200 V | - |
| Serie | - | * |
| Tipo FET | N-Channel | - |
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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