- Jess***Jones
- 17/04/2026
PCN obsolescencia/ EOL
Mult Devices 16/Oct/2017.pdfEspecificaciones tecnológicas APT30SCD65B
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Microsemi Corporation - APT30SCD65B con especificaciones similares a Microsemi Corporation - APT30SCD65B
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Microsemi | |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8 V @ 30 A | |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650 V | |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| Paquete del dispositivo | TO-247 | |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Serie | - | |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Paquete / Cubierta | TO-247-2 | |
| Paquete | Bulk | |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 600 µA @ 650 V | |
| Corriente - rectificada media (Io) | 46A | |
| Capacitancia Vr, F | 945pF @ 1V, 1MHz |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Microsemi Corporation APT30SCD65B
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | APT30SCD120B | APT30SCD120S | APT30S20BG | APT30S20SG |
| Fabricante | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Serie | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | - | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Corriente - rectificada media (Io) | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | - | - | - | - |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | - | - | - | - |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | - | - | - | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - | - | - | - |
| Capacitancia Vr, F | - | - | - | - |
| Velocidad | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF APT30SCD65B y la documentación Microsemi Corporation para APT30SCD65B - Microsemi Corporation.
APT30S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247
APT31M100LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 32A TO264
APT3216CGCKINGBRIGH
APT30N60BC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 30A TO247
APT31M100B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
APT31N60BCSGMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
APT30M85SVFRGMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 300V 40A D3PAK
APT30N60SC6Microsemi CorporationMOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
APT30S20SGMicrosemi CorporationDIODE SCHOTTKY 200V 45A D3
APT31N90JC3MicrosemiIGBT Module
APT30SCD120SMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 99A D3PAK
APT30SCD120BMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 1.2KV 99A TO247Su dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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