- Jess***Jones
- 17/04/2026
PCN Otro
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $511.645 | $511.65 |
| 200+ | $204.15 | $40,830.00 |
| 500+ | $197.328 | $98,664.00 |
| 1000+ | $193.957 | $193,957.00 |
Especificaciones tecnológicas APTM10DAM02G
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Microchip Technology - APTM10DAM02G con especificaciones similares a Microchip Technology - APTM10DAM02G
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Microchip Technology | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 10mA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | SP6 | |
| Serie | - | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2.5mOhm @ 200A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 1250W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | SP6 | |
| Paquete | Bulk |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 40000 pF @ 25 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1360 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 495A (Tc) | |
| Número de producto base | APTM10 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Microchip Technology APTM10DAM02G
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | APTM10DAM05TG | APTM100UM65DAG | APTM100UM65SAG | APTM100UM65SCAVG |
| Fabricante | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| La disipación de energía (máximo) | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Número de producto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| VGS (th) (Max) @Id | - | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF APTM10DAM02G y la documentación Microchip Technology para APTM10DAM02G - Microchip Technology.
APTM100UM65SAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 145A SP6
APTM10DHM09T3GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
APTM10DUM02GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
APTM10DSKM09T3GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
APTM10DHM05GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
APTM100UM65SCAVGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 145A SP6
APTM10AM02FGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
APTM100UM60FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 129A SP6
APTM10DDAM19T3GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
APTM10AM05FTGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
APTM100VDA35T3GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
APTM100UM65S-ALNMICROSEIGBT Module
APTM10DAM05TGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 278A SP4
APTM10DSKM19T3GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
APTM10DDAM09T3GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
APTM10DHM09TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
APTM100UM45FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 215A SP6
APTM100UM65DAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 145A SP6Su dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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