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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesTPS1120DR
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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TPS1120DR - Texas Instruments

Fabricante Número de pieza
TPS1120DR
Fabricante
Texas Instruments
Allelco Número de pieza
32D-TPS1120DR
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Embalaje
8-SOIC
Ficha de datos
1.TPS1120DR.pdf ...

Diseño/especificación de PCN

Design 25/Feb/2022.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas TPS1120DR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Texas Instruments - TPS1120DR con especificaciones similares a Texas Instruments - TPS1120DR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 250µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOIC  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V  
Potencia - Max 840mW  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 5.45nC @ 10V  
Característica de FET Logic Level Gate  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 15V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.17A  
Configuración 2 P-Channel (Dual)  
Número de producto base TPS1120  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

TPS1120DR

Fabricante

Instrumentos de Texas

Introducción

Producto de semiconductores discretos

Fets de transistores, matrices MOSFETS

Características del producto y rendimiento

ROHS3 Cumplante

Paquete de 8-SOIC (0.154 ", ancho de 3.90 mm)

Embalaje de cinta y carrete (TR)

Temperatura de funcionamiento: -40 ° C ~ 150 ° C (TJ)

Power Max: 840MW

Configuración: 2 canal P (dual)

Drenaje a voltaje de fuente (VDSS): 15V

Rds on (max) @ id, VGS: 180mohm @ 1.5a, 10V

Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

Drenaje continuo actual (ID) @ 25 ° C: 1.17a

Característica FET: Puerta de nivel de lógica

VGS (th) (max) @ id: 1.5V @ 250a

Gate Charge (QG) (max) @ VGS: 5.45nc @ 10V

Tipo de montaje de montaje en superficie

Ventajas de productos

ROHS3 Cumplante

Adecuado para una variedad de aplicaciones debido a sus especificaciones de rendimiento

Paquete compacto 8-soico

Parámetros técnicos clave

Drenaje a voltaje de fuente (VDSS): 15V

Rds on (max) @ id, VGS: 180mohm @ 1.5a, 10V

Drenaje continuo actual (ID) @ 25 ° C: 1.17a

VGS (th) (max) @ id: 1.5V @ 250a

Gate Charge (QG) (max) @ VGS: 5.45nc @ 10V

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Compatibilidad

Tipo de montaje de montaje en superficie

Áreas de aplicación

Adecuado para una variedad de aplicaciones que requieren productos de semiconductores discretos, como transistores y MOSFETS

Ciclo de vida del producto

No hay información sobre la interrupción o la disponibilidad de reemplazos/actualizaciones

Varias razones clave para elegir este producto

ROHS3 Cumplante

Especificaciones de rendimiento adecuadas para una variedad de aplicaciones

Paquete compacto 8-soico

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Texas Instruments TPS1120DR

Atributo del producto TPS1120DR TPS1120D TPS1120DG4 TPS1101PWR
Número de pieza TPS1120DR TPS1120D TPS1120DG4 TPS1101PWR
Fabricante Texas Instruments Texas Instruments Luminary Micro / Texas Instruments Texas Instruments
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.17A 1.17A 1.17A 2.18A (Ta)
VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Potencia - Max 840mW 840mW 840mW -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 15V 15V 15V 15 V
Paquete del dispositivo 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 16-TSSOP
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
RDS (Max) @Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V 180mOhm @ 1.5A, 10V 180 mOhm @ 1.5A, 10V 90mOhm @ 2.5A, 10V
Configuración 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Característica de FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Número de producto base TPS1120 TPS1120 - TPS1101
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 5.45nC @ 10V 5.45nC @ 10V 5.45nC @ 10V 11.25 nC @ 10 V
Serie - - - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tube - Tape & Reel (TR)

TPS1120DR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF TPS1120DR y la documentación Texas Instruments para TPS1120DR - Texas Instruments.

Diseño/especificación de PCN
Design 25/Feb/2022.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    19/06/2024

    Morrey was very helpful and right on top of things!
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Método de entrega

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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
Póngase en contacto con nosotros si tiene alguna pregunta.

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