Número de pieza del fabricante
LM5112MY
Fabricante
Instrumentos de Texas
Introducción
Controlador de puerta MOSFET de lado alto y bajo
Características del producto y rendimiento
Opera de 3,5 V a 14 V suministro
1 canal del conductor
Fuente 3A, corriente de salida de pico de sumidero 7A
Tiempo de ascenso de 14ns, 12ns de caída
Tipos de entrada invertir y no inversores
Configuración conducida por el lado bajo
Controlador de puerta MOSFET de N-canal
Ventajas del producto
Capacidad de corriente de alta unidad
Velocidad de conmutación rápida
Amplio rango de voltaje de suministro
Opciones de entrada invertir y no inversiones
Configuración conducida por el lado bajo
Parámetros técnicos clave
Voltaje de suministro: 3.5V a 14V
Niveles lógicas de entrada: 0.8V (VIL), 2.3V (vih)
Corriente de salida máxima: fuente 3A, fregadero 7A
Rise/caída del tiempo: 14ns, 12ns
Temperatura de funcionamiento: -40 ° C a 125 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS no conforme
Compatibilidad
Paquete de montaje en superficie
8-HVSSOP, 8-TSSOP, PABAJOS DE 8 MSOP
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Amplificadores de audio de clase D
Conductores de MOSFET de lado alto y bajo
Ciclo de vida del producto
Este producto todavía está en producción y disponibilidad activa.
Las piezas de reemplazo o actualizadas pueden estar disponibles en Texas Instruments.
Razones clave para elegir este producto
Capacidad de corriente de transmisión alta para conmutación eficiente de MOSFET
Velocidades de conmutación rápidas para aplicaciones de alta frecuencia
Amplio rango de voltaje de suministro para uso versátil
Opciones de entrada invertir y no inversiones para flexibilidad de diseño
Configuración de conducción baja para un diseño de circuito más simple
ROHS no confunde para su uso en aplicaciones heredadas
LM5111-4M/NOPBTexas InstrumentsIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
LM5112Q1SDTexas Instruments
LM5112QISDNS
LM5112SDTexas InstrumentsIC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON