Número de pieza del fabricante
LM5110-2M
Fabricante
Instrumentos de Texas
Introducción
El LM5110-2M es un controlador de puerta de lado bajo diseñado para conducir MOSFET de canales N en aplicaciones de administración de energía.
Características del producto y rendimiento
Impulsa de forma independiente 2 canales
Optimizado para la conducción de la puerta MOSFET del canal N
Corriente de salida máxima de 3a (fuente), 5a (sumidero)
Tiempos rápidos de aumento y caída (típicos 14ns/12ns)
El voltaje de suministro amplio varía de 3.5V a 14V
Tipo de entrada invertida
Admite umbrales de nivel lógico con VIL a 0.8V y VIH a 2.2V
Diseñado para la tecnología de montaje en superficie con un paquete 8-SOIC
Ventajas de productos
Rango de suministro de energía flexible para acomodar varias aplicaciones
Capacidad de accionamiento fuerte para conmutación rápida y pérdida de energía reducida
El paquete compacto de 8-Soic guarda espacio en PCBS
Parámetros técnicos clave
Voltaje lógico VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Suministro de voltaje: 3.5V ~ 14V
Salida máxima actual (fuente, fregadero): 3a, 5a
Tiempo de aumento / caída (typ): 14ns, 12ns
Características de calidad y seguridad
Rango de temperatura de funcionamiento: -40 ° C ~ 125 ° C, adecuado para entornos duros
Compatibilidad
Aplicable a la conducción de la puerta de los MOSFET de canales N
Montaje de superficie compatible con envases 8-SOIC
Áreas de aplicación
Control del motor
Regulación de la fuente de alimentación
Convertidores de potencia
Electrónica automotriz
Sistemas industriales
Ciclo de vida del producto
El estado obsoleto indica que el producto ya no se está fabricando o comprado
Texas Instruments puede ofrecer soluciones o actualizaciones alternativas
Varias razones clave para elegir este producto
La reputación de la calidad y la confiabilidad de Texas Instruments en la gestión de energía
La capacidad de conducción de alta corriente permite un funcionamiento eficiente de los circuitos de alimentación
El rango de voltaje amplio garantiza la compatibilidad con una amplia gama de puertas MOSFET
El factor de forma pequeño para el diseño de PCB compacto y eficiente
Capacidades de conmutación rápida para aplicaciones de alto rendimiento
LM5110-1SDX/NOPBTexas Instruments
LM511-B4Honeywell Sensing and Productivity SolutionsLIMIT SWITCH INDUSTRIAL
LM5110-1MXTexas InstrumentsIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
LM5110-1SDTexas InstrumentsIC GATE DRVR LOW-SIDE 10WSON