- Jess***Jones
- 17/04/2026
Diseño/especificación de PCN
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.607 | $0.61 |
| 250+ | $0.235 | $58.75 |
| 500+ | $0.227 | $113.50 |
| 1000+ | $0.223 | $223.00 |
Especificaciones tecnológicas CSD25480F3T
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Texas Instruments - CSD25480F3T con especificaciones similares a Texas Instruments - CSD25480F3T
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Texas Instruments | |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | -12V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | 3-PICOSTAR | |
| Serie | FemtoFET™ | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 132mOhm @ 400mA, 8V | |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | |
| Paquete / Cubierta | 3-XFDFN | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 155 pF @ 10 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.91 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) | |
| Número de producto base | CSD25480 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Texas Instruments CSD25480F3T
| Atributo del producto | ![]() |
|
|---|---|---|
| Número de pieza | CSD25480F3T | 1.5SMC20A-E3/57T |
| Fabricante | Texas Instruments | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.91 nC @ 10 V | - |
| Número de producto base | CSD25480 | 1.5SMC20 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 155 pF @ 10 V | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) | - |
| Característica de FET | - | - |
| Tipo FET | P-Channel | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Paquete del dispositivo | 3-PICOSTAR | DO-214AB (SMCJ) |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 132mOhm @ 400mA, 8V | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Serie | FemtoFET™ | 1.5SMC, TransZorb® |
| Vgs (Max) | -12V | - |
| Paquete / Cubierta | 3-XFDFN | DO-214AB, SMC |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 250µA | - |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | - |
Descargue las hojas de datos PDF CSD25480F3T y la documentación Texas Instruments para CSD25480F3T - Texas Instruments.
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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