- Jess***Jones
- 17/04/2026
PCN obsolescencia/ EOL
Mult Dev EOL 15/Mar/2020.pdfEspecificaciones tecnológicas RB861Y9HKT2R
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RB861Y9HKT2R con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RB861Y9HKT2R
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | LAPIS Technology | |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 290 mV @ 1 mA | |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 5 V | |
| Tecnología | Schottky | |
| Paquete del dispositivo | EMD4 | |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| Serie | - |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Paquete / Cubierta | SC-75-4, SOT-543 | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 125°C (Max) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| configuración de diodo | 2 Independent | |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 30 µA @ 1 V | |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 10mA (DC) |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | OBSOLETE |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RB861Y9HKT2R
| Atributo del producto | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | RB861Y9HKT2R | RB861YT2R | RB8532-25-0M9 | RB886ASAFHT2RB |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Schaffner EMC Inc. | Rohm Semiconductor |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 30 µA @ 1 V | 30 µA @ 1 V | - | - |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 290 mV @ 1 mA | 290 mV @ 1 mA | - | - |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 5 V | 5 V | - | - |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | - | - |
| Serie | - | - | RB | Automotive, AEC-Q101 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 125°C (Max) | 125°C (Max) | - | - |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| configuración de diodo | 2 Independent | 2 Independent | - | - |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 10mA (DC) | 10mA (DC) | - | - |
| Paquete / Cubierta | SC-75-4, SOT-543 | SC-75-4, SOT-543 | Vertical, 6 PC Pin | SOD-882 |
| Tecnología | Schottky | Schottky | - | - |
| Paquete del dispositivo | EMD4 | EMD4 | - | DFN1006-2W |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | - |
Descargue las hojas de datos PDF RB861Y9HKT2R y la documentación Rohm Semiconductor para RB861Y9HKT2R - Rohm Semiconductor.
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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