- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
2SK2463.pdfDiseño/especificación de PCN
Mult Devices Marking 16/Apr/2018.pdfEspecificaciones tecnológicas 2SK2463T100
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - 2SK2463T100 con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - 2SK2463T100
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | LAPIS Technology | |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | MPT3 | |
| Serie | - | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 380mOhm @ 1A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | |
| Paquete / Cubierta | TO-243AA | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) | |
| Número de producto base | 2SK2463 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor 2SK2463T100
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | 2SK2463T100 | 2SK2461-AZ | 2SK2462(04)-AZ | 2SK2475 |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | Renesas | Renesas Electronics America Inc | XDY |
| Paquete del dispositivo | MPT3 | ITO-220AB | - | - |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | - |
| Paquete / Cubierta | TO-243AA | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA | 2V @ 1mA | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 10 V | 1400 pF @ 10 V | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V | 100 V | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±20V | ±20V | - | - |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| Número de producto base | 2SK2463 | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | 150°C | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 380mOhm @ 1A, 10V | 80mOhm @ 10A, 10V | - | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Serie | - | - | * | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | 4V, 10V | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Through Hole | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) | 20A (Ta) | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) | 2W (Ta), 35W (Tc) | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF 2SK2463T100 y la documentación Rohm Semiconductor para 2SK2463T100 - Rohm Semiconductor.
2SK2475XDY
2SK2461NEC
2SK2466NEC
2SK2462NEC
2SK2477NEC
2SK2461-AZRenesas2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF
2SK2462(04)-AZRenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2473FUJISu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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