Número de pieza del fabricante
IXFN50N120SK
Fabricante
Ixys Corporation
Introducción
MOSFET de alimentación de carburo de silicio de alto rendimiento (SICFET) para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia.
Características del producto y rendimiento
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS) de 1200V
Corriente de drenaje continuo (id) de 48a a 25 ° C
Resistencia en el estado (RDS (ON)) tan baja como 52mΩ
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -40 ° C a 175 ° C
Velocidad de conmutación rápida y carga de puerta baja
Tecnología sic robusta y confiable
Ventajas de productos
Reducción significativa en las pérdidas de conducción y conmutación
Habilitando la conversión de energía de alta eficiencia y alta densidad
Gestión térmica mejorada y confiabilidad del sistema
Compatibilidad con los circuitos estándar de la unidad de puerta MOSFET
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 1200V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): +20V/-5V
Resistencia en el estado (RDS (ON)): 52MΩ @ 40A, 20V
Corriente de drenaje continuo (ID): 48a a 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 1895pf @ 1000V
CARGA DE GATE (QG): 115NC @ 20V
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Probado y calificado para la fiabilidad y la seguridad
Compatibilidad
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia, como fuentes de alimentación, unidades de motor y sistemas de energía renovable
Áreas de aplicación
Electrónica de energía industrial
Sistemas de energía renovable
Vehículos eléctricos y vehículos eléctricos híbridos
Aplicaciones de conmutación de alta potencia de alto voltaje
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente disponible y no está cerca de la interrupción.
Los reemplazos y las actualizaciones pueden estar disponibles en el futuro a medida que avanza la tecnología.
Varias razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento y eficiencia debido a la tecnología SIC
Diseño robusto y confiable para aplicaciones exigentes
Rango de temperatura de funcionamiento amplio y compatibilidad con los circuitos de transmisión de puerta estándar
Registro probado y soporte de un fabricante acreditado (IXYS Corporation)
Potencial para mejoras a nivel del sistema en la densidad de potencia, la gestión térmica y la confiabilidad general del sistema
IXFN52N90PIXYS CorporationMOSFET N-CH 900V 43A SOT227