- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.115 | $0.12 |
| 200+ | $0.046 | $9.20 |
| 500+ | $0.044 | $22.00 |
| 1000+ | $0.043 | $43.00 |
Especificaciones tecnológicas GSFL1003
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Good-Ark Semiconductor - GSFL1003 con especificaciones similares a Good-Ark Semiconductor - GSFL1003
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Good-Ark Semiconductor | |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | SOT-223 | |
| Serie | - | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 200mOhm @ 2A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 1.78W (Ta) | |
| Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 50 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Good-Ark Semiconductor GSFL1003
| Atributo del producto | ![]() |
|
|---|---|---|
| Número de pieza | GSFL1003 | HA16PRM-3SE(71) |
| Fabricante | Good-Ark Semiconductor | Hirose Electric Co Ltd |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Panel Mount, Through Hole |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -25°C ~ 70°C |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100 V | - |
| La disipación de energía (máximo) | 1.78W (Ta) | - |
| Tipo FET | P-Channel | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - |
| Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.2V @ 250µA | - |
| Paquete del dispositivo | SOT-223 | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 200mOhm @ 2A, 10V | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 50 V | - |
| Característica de FET | - | - |
| Serie | - | HA |
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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