Número de pieza del fabricante
Fdn361bn
Fabricante
Fairchild (Onsemi)
Introducción
Producto de semiconductores discretos
Transistores fets, MOSFETS single
Características del producto y rendimiento
Serie de tráfico
Mosfet de canal N
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 30 V
VGS (máximo): ± 20V
Rds on (max) @ id, VGS: 110mohm @ 1.4a, 10V
Drenaje continuo actual (ID) @ 25 ° C: 1.4a (TA)
Capacitancia de entrada (CISS) (Max) @ VDS: 193 pf @ 15 V
Disipación de potencia (MAX): 500MW (TA)
VGS (th) (max) @ id: 3V @ 250a
Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido): 4.5V, 10V
GATE CARGA (QG) (MAX) @ VGS: 1.8 NC @ 4.5 V
Ventajas de productos
Tecnología de tráfico
Paquete SOT-23-3 compacto
Rango de temperatura de funcionamiento amplio (-55 ° C ~ 150 ° C)
Parámetros técnicos clave
Embalaje del fabricante: SOT-23-3
Paquete / Caso: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo de proveedor: SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento: -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Tipo de FET: canal N
Tipo de montaje: soporte de superficie
Características de calidad y seguridad
Diseño de Mosfet confiable
Embalaje robusto
Compatibilidad
Compatible con varios sistemas y aplicaciones electrónicas
Áreas de aplicación
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No hay información sobre interrupción o reemplazo
Varias razones clave para elegir este producto
Tecnología del tren motriz para mejorar el rendimiento
Paquete compacto SOT-23-3 para diseños con restricciones espaciales
Amplio rango de temperatura de funcionamiento para diversas aplicaciones
Diseño confiable y robusto para garantía de calidad
FDN362ANAMI Semiconductor/onsemi
FDN361APSIPUSEMI