- Jess***Jones
- 17/04/2026
Ensamblaje de PCN/origen
Assembly Site 25/Jun/2021.pdfEspecificaciones tecnológicas EPC8009
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de EPC - EPC8009 con especificaciones similares a EPC - EPC8009
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | EPC | |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Paquete del dispositivo | Die | |
| Serie | eGaN® | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 130mOhm @ 500mA, 5V | |
| La disipación de energía (máximo) | - | |
| Paquete / Cubierta | Die | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 52 pF @ 32.5 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.45 nC @ 5 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 65 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las EPC EPC8009
| Atributo del producto | ![]() |
|
|---|---|---|
| Número de pieza | EPC8009 | 1206PC473KAZ2A |
| Fabricante | EPC | KYOCERA AVX |
| Tipo FET | N-Channel | - |
| Paquete del dispositivo | Die | - |
| Serie | eGaN® | FLEXITERM® |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount, MLCC |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 130mOhm @ 500mA, 5V | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) | - |
| Paquete / Cubierta | Die | 1206 (3216 Metric) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 125°C |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Característica de FET | - | - |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | - |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 65 V | - |
| La disipación de energía (máximo) | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 52 pF @ 32.5 V | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.45 nC @ 5 V | - |
Descargue las hojas de datos PDF EPC8009 y la documentación EPC para EPC8009 - EPC.
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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