- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
DMN2011UTS.pdfInformación ambiental
Diodes Environmental Compliance Cert.pdfEnsamblaje de PCN/origen
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.15 | $0.15 |
| 10+ | $0.147 | $1.47 |
| 30+ | $0.145 | $4.35 |
| 100+ | $0.143 | $14.30 |
| 200+ | $0.898 | $179.60 |
| 400+ | $0.866 | $346.40 |
| 800+ | $0.85 | $680.00 |
Especificaciones tecnológicas DMN2011UTS-13
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Diodes Incorporated - DMN2011UTS-13 con especificaciones similares a Diodes Incorporated - DMN2011UTS-13
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | 8-TSSOP | |
| Serie | - | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 11mOhm @ 7A, 4.5V | |
| La disipación de energía (máximo) | 1.3W (Ta) | |
| Paquete / Cubierta | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2248 pF @ 10 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) | |
| Número de producto base | DMN2011 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Diodes Incorporated DMN2011UTS-13
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | DMN2011UFDF-13 | DMN2011UFDE-13 | DMN2009USS-13 | DMN2011UFDF-7 |
| Fabricante | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | - | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | - | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Número de producto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Tecnología | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF DMN2011UTS-13 y la documentación Diodes Incorporated para DMN2011UTS-13 - Diodes Incorporated.
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
DMN2015UFDE.TCTSemtech
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
DMN2012UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718-
DMN2011UFDF-7 MOSDiodes Incorporated
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 8SOIC
DMN2013UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
DMN2009UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN2011UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
DMN2015UFDE-7-55Diodes IncorporatedSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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