- Oliv***arris
- 07/05/2026
Hojas de datos
IRFR/U9120N.pdfOtros documentos relacionados
IR Part Numbering System.pdfEspecificaciones tecnológicas IRFR9120NTRL
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFR9120NTRL con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFR9120NTRL
| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D-Pak |
| Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 480mOhm @ 3.9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 40W (Tc) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100 V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) |
| Número de producto base | IRFR9120 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | No conforme a RoHS |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFR9120NTRL
| Atributo del producto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | IRFR9120NTRLPBF | IRFR9120TRL | IRFR9120NTRPBF | IRFR9120TRLPBF-BE3 |
| Fabricante | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | - | - | - | - |
| Número de producto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF IRFR9120NTRL y la documentación Infineon Technologies para IRFR9120NTRL - Infineon Technologies.
IRFR91209AIntersil (Renesas Electronics Corporation)
IRFR9120NPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 100V 6.6A TO252
IRFR9120NPBF MOSIR
IRFR9120N MOSIR
IRFR9120NTRIR
IRFR9120 MOSIR
IRFR91209AR3603Harris Corporation5.6A, 100V, 0.6OHM, P-CHANNEL,Su dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |













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