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IRFR6215TRR Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFR6215TRR - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRFR6215TRR
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRFR6215TRR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
IRFR/U6215.pdf
Existencias disponibles: 4300

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFR6215TRR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRFR6215TRR con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRFR6215TRR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D-Pak  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 295mOhm @ 6.6A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 110W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRFR6215TRR

Atributo del producto IRFR6215TRR IRFR7440PBF IRFR7440TRPBF IRFR6215TRPBF
Número de pieza IRFR6215TRR IRFR7440PBF IRFR7440TRPBF IRFR6215TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V 40 V 40 V 150 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 4610 pF @ 25 V 4610 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V
RDS (Max) @Id, Vgs 295mOhm @ 6.6A, 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V 295mOhm @ 6.6A, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete del dispositivo D-Pak D-Pak PG-TO252-3 D-Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 66 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 3.9V @ 100µA 3.9V @ 100µA 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La disipación de energía (máximo) 110W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 110W (Tc)
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 13A (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFR6215TRR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFR6215TRR y la documentación Infineon Technologies para IRFR6215TRR - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
IR Part Numbering System.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Hojas de datos
IRFR/U6215.pdf

Modo de transporte

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Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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