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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF7601TRPBF
IRF7601TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF7601TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF7601TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF7601TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Descripción detallada
Embalaje
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Ficha de datos
IRF7601TRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5030

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF7601TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF7601TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF7601TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo Micro8™  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 35mOhm @ 3.8A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta)  
Número de producto base IRF7601  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF7601TRPBF

Atributo del producto IRF7601TRPBF IRF7601TR IRF7604TR IRF7534D1TR
Número de pieza IRF7601TRPBF IRF7601TR IRF7604TR IRF7534D1TR
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta) - - 1.25W (Ta)
Número de producto base IRF7601 - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Serie HEXFET® - - FETKY™
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs 35mOhm @ 3.8A, 4.5V 35mOhm @ 3.8A, 4.5V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V 15 nC @ 5 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 20 V 20 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V 650 pF @ 15 V 590 pF @ 15 V 1066 pF @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 1.2V @ 250µA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V - - 2.5V, 4.5V
Paquete del dispositivo Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Característica de FET - - - Schottky Diode (Isolated)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta) 5.7A (Ta) 3.6A (Ta) 4.3A (Ta)
Vgs (Max) ±12V - - ±12V
Paquete / Cubierta 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)

IRF7601TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF7601TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF7601TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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