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IRF7309TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF7309TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF7309TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF7309TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
IRF7309TRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 82550

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF7309TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF7309TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF7309TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SO  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V  
Potencia - Max 1.4W  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25nC @ 4.5V  
Característica de FET -  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A, 3A  
Configuración N and P-Channel  
Número de producto base IRF73  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF7309TRPBF

Atributo del producto IRF7309TRPBF IRF7307QTRPBF IRF7309PBF IRF7309QTRPBF
Número de pieza IRF7309TRPBF IRF7307QTRPBF IRF7309PBF IRF7309QTRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 25nC @ 4.5V 25nC @ 4.5V
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Paquete Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube Cut Tape (CT)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A, 3A 5.2A, 4.3A 4A (Ta), 3A (Ta) 4A, 3A
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V 20V 30V 30V
Configuración N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Característica de FET - Logic Level Gate - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V 660pF @ 15V 520pF, 440pF @ 15V 520pF @ 15V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Max 1.4W 2W 1.4W (Ta) 1.4W
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
RDS (Max) @Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Paquete del dispositivo 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Número de producto base IRF73 IRF73 IRF73 IRF73

IRF7309TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF7309TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF7309TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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